| 发明名称 | 形成多晶矽薄膜之方法 | ||
| 摘要 | |||
| 申请公布号 | TWI506171 | 申请公布日期 | 2015.11.01 |
| 申请号 | TW101125823 | 申请日期 | 2012.07.18 |
| 申请人 | 胜华科技股份有限公司 | 发明人 | 黄显雄;王文俊;张恒毅;刘锦璋 |
| 分类号 | C30B29/06 | 主分类号 | C30B29/06 |
| 代理机构 | 代理人 | 吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3;戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3 | |
| 主权项 | 一种形成多晶矽薄膜之方法，包括：提供一基板，该基板具有一上表面；进行一加热处理；以及进行一矽薄膜沉积制程，以直接于该基板之该上表面上形成一多晶矽薄膜，其中该矽薄膜沉积制程包括利用一反应气体以于该基板之该上表面上形成该多晶矽薄膜，且该加热处理包括：利用一主加热源对该基板加热至一第一温度；以及利用一辅助加热源对该反应气体加热至一第二温度。 | ||
| 地址 | 台中市潭子区建国路10号 | ||