金属闸极半导体的洗净方法

主权项

一种金属闸极半导体的洗净方法，将包括金属闸极的半导体洗净，其特征在于包括：灰化步骤，将上述半导体上的光阻剂灰化；以及过硫酸洗净步骤，在上述灰化步骤后，使含有过硫酸的硫酸溶液与经过了上述灰化步骤的上述半导体接触，从而将上述半导体上的上述光阻剂从上述半导体剥离，其中上述过硫酸洗净步骤中的上述含有过硫酸的硫酸溶液中，过氧化氢浓度为16mM as O以下，硫酸浓度为90质量%以上96质量%以下，液温为70℃以上130℃以下，过硫酸浓度为0.50mM as O以上25mM as O以下，且上述含有过硫酸的硫酸溶液是将硫酸溶液电解所获得的硫酸电解液或使硫酸溶液中含有臭氧而成者。