发明名称 半导体元件高深宽比(HAR)孔洞或槽渠之镍钨合金填孔电镀液及填孔制程
摘要
申请公布号 TWI506727 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW101115864 申请日期 2012.05.03
申请人 国立中兴大学 发明人 窦维平;黄馨嫚
分类号 H01L21/764;H01L21/288 主分类号 H01L21/764
代理机构 代理人 蔡坤旺 台北市中山区长安东路2段81号3楼之1
主权项 一种半导体元件高深宽比(HAR)孔洞或槽渠之镍钨合金填孔电镀液,包含:镍离子和钨酸根离子;镍离子和钨酸根离子之螯合剂;电镀液pH值调整剂,且该电镀液的pH值为4~6;添加剂,该添加剂为润湿剂、或应力消除剂、或加速剂、或加速剂和抑制剂之组合、或选自以上各添加剂之组合;其中,该润湿剂系选自为环氧乙烷聚合物、烷基硫酸盐之择一;该应力消除剂系选自阴离子型的界面活性剂、炔醇类、磺酸类;该加速剂系选自磺酸类;该抑制剂系选自氯;一具备高深宽比特征之槽渠或孔洞之半导体基材,于上述电镀液中进行填孔电镀,于该槽渠或孔洞中以超级填充(Superfilling)沈积模式形成一镍钨合金栓塞(Plug)。
地址 台中市南区国光路250号