发明名称 局部曝光方法及局部曝光装置
摘要
申请公布号 TWI506380 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW101108509 申请日期 2012.03.13
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 森山茂;田中茂喜;尾上幸太朗
分类号 G03F7/20;H01L21/027 主分类号 G03F7/20
代理机构 代理人 周良谋 新竹市东大路1段118号10楼;周良吉 新竹市东大路1段118号10楼
主权项 一种局部曝光方法,系将位于以水平状态在水平方向运送基板的基板运送路径上方,由在基板运送方向之交叉方向排列成直线状的多数发光元件之中的一个或多数发光元件所构成的发光体,作为发光控制单位来选择性进行发光驱动,而对于在其下方沿着基板运送方向相对性移动的被处理基板上之感光膜施加曝光处理,其特征在于包含以下步骤:对形成于该被处理基板上的感光膜之既定区域,依据其膜厚求得待照射之目标照度之步骤;确认出可照射至该既定区域的至少一个发光体之步骤;对于该经确认的一个发光体,当邻接于该发光体的其他发光体可照射至该既定区域时,从该目标照度减去由该其他发光体之发光所致的干涉光之照度,并将计算出之值定为修正后之设定照度之步骤;以及依据该修正后之设定照度来决定驱动电流值,并藉由该驱动电流值使该一个发光体发光之步骤。
地址 日本