用于层转移之金属载体及其形成方法

主权项

一种制造半导体基板之方法，其包含：在施体结构中于预定深度处形成弱化带，以界定在附着表面与该弱化带之间之转移层及在该弱化带与该附着表面之相对表面之间之残余施体结构；在该附着表面上沈积金属层及在该附着表面上形成包含该金属层之金属支撑结构，其中该金属层提供：该金属层密切匹配该转移层之热膨胀系数(CTE)之匹配CTE；及足够刚性，以向该转移层提供结构支撑；及在该弱化带处自该施体结构分离该转移层，从而形成包含该转移层及该金属层之复合基板。