发明名称 半导体基板的制造方法和制造装置
摘要
申请公布号 TWI506725 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW098101376 申请日期 2009.01.15
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 发明人 小俣贵嗣;森若智昭;大沼英人
分类号 H01L21/762;H01L21/683 主分类号 H01L21/762
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种半导体基板的制造方法,包含如下步骤:在基板支撑台上方配置具有损坏区域的第一基板,其中该基板支撑台包括复数个开口;在该第一基板的上方以不接触于该第一基板的方式配置第二基板;以及藉由使设置在该复数个开口中之各者的复数个基板支撑机构之各者上升,将该第一基板贴合到该第二基板,其中该复数个基板支撑机构独立的移动,其中该复数个基板支撑机构与该第一基板直接接触,以及其中,压力系逐渐施加至该第一基板的复数个隅角部之一者,以及贴合该第一基板和该第二基板的该步骤系从藉由该复数个基板支撑机构之一者施加该压力至该复数个隅角部之一者而施行。
地址 日本