| 主权项 |
一种被动半导体装置，包含：一矽基材；配置在该矽基材之上的一氮化镓层；配置在该氮化镓层的一(0001)表面上之一个三族氮化物障壁层；配置在该三族氮化物障壁层之上的一介电层；配置在该介电层上之一第一接触金属，该第一接触金属及该氮化镓层分别形成一空乏模式三族氮化物金属氧化物半导体(MOS)电容器的一第一板及一第二板；以及配置在以与该氮化镓层接触之方式配置的一n型半导体区上之一第二接触金属，且该第二接触金属电气连接到该氮化镓层中于接近该氮化镓层与该三族氮化物障壁层间之一界面处出现的二维电子气(2DEG)，因而可使该第一与第二接触金属间之电压高于一负临界电压。
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