| 发明名称 |
厚膜导体形成用组成物以及使用其获得的厚膜导体;COMPOSITION FOR FORMING THICK FILM CONDUCTOR AND THICK FILM CONDUCTOR USING SAME |
| 摘要 |
本发明之课题为提供一种厚膜导体形成用组成物以及使用其获得的厚膜导体。该厚膜导体形成用组成物系制造晶片电阻器、电阻网路以及混合积体电路等时，用以在陶瓷基板等上形成厚膜导体而使用之耐焊料腐蚀性高并且不含铅者。;本发明之解决手段系藉由一种厚膜导体形成用组成物等而提供，该厚膜导体形成用组成物包含导电粉末(B)、氧化物粉末(A)及有机载体(C)，其特征在于氧化物粉末(A)包含SiO2-ZnO-MgO-Al2O3系玻璃粉末(A1)和Al2O3粉末(A2)。 |
| 申请公布号 |
TW201541467 |
申请公布日期 |
2015.11.01 |
| 申请号 |
TW104109291 |
申请日期 |
2015.03.24 |
| 申请人 |
住友金属鑛山股份有限公司 SUMITOMO METAL MINING CO., LTD. |
发明人 |
石山直希 ISHIYAMA, NAOKI |
| 分类号 |
H01B1/20(2006.01);H01B5/14(2006.01) |
主分类号 |
H01B1/20(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
丁国隆黄政诚 |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 JP |
