发明名称 发光二极体之制造方法
摘要
申请公布号 TWI506810 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW100131217 申请日期 2011.08.31
申请人 台湾积体电路制造股份有限公司 发明人 黄泓文;夏兴国;邱清华
分类号 H01L33/00 主分类号 H01L33/00
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项 一种发光二极体之制造方法,包括:提供一蓝宝石基板;形成一发光结构于该蓝宝石基板上,该发光结构包括:一缓冲层;一第一掺杂层,位于该缓冲层上,掺杂有第一导电类型之一第一掺质;一主动层,位于该第一掺杂层之上;以及一第二掺杂层,位于该主动层之上,该第二掺杂层掺杂有相反于该第一导电类型之一第二导电类型之一第二掺质;研磨该蓝宝石基板之一背面,以移除该蓝宝石基板之一部;藉由蚀刻以完全地移除该蓝宝石基板之一剩余部;以及移除该缓冲层之一部,以于该缓冲层内形成一凹口。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行六路8号