| 发明名称 |
用来管理具有多通道、多途径的记忆装置之方法以及相关之记忆装置及其控制器 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI506422 |
申请公布日期 |
2015.11.01 |
| 申请号 |
TW098132100 |
申请日期 |
2009.09.23 |
| 申请人 |
慧荣科技股份有限公司 |
发明人 |
林仁文 |
| 分类号 |
G06F12/00;G11C7/10 |
主分类号 |
G06F12/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
戴俊彦 新北市永和区福和路389号6楼之3;吴丰任 新北市永和区福和路389号6楼之3 |
| 主权项 |
一种用来管理具有多通道(Channel)、多途径(Way)的记忆装置之方法，该记忆装置包含复数个快闪记忆体(Flash Memory)晶片，每一快闪记忆体晶片包含复数个区块，该方法包含有：针对一逻辑页，依据该些快闪记忆体晶片之一预定顺序于该些快闪记忆体晶片中寻找用来写入之一快闪记忆体晶片，并且于寻找该快闪记忆体晶片之过程中略过任何忙碌或不适合写入之快闪记忆体晶片；以及将属于该逻辑页之资料以及用来指出写入顺序之序号写入所找到之快闪记忆体晶片的一区块中之一相对应实体页。 |
| 地址 |
新竹县竹北市台元街36号8楼之1 |
