发明名称 资料写入方法、记忆体控制电路单元与记忆体储存装置;DATA WRITING METHOD, AND MEMORY CONTROLLER AND MEMORY STORAGE APPARATUS USING THE SAME
摘要 本揭露提出一种用于将资料写入至可复写式非挥发性记忆体模组的记忆胞的资料写入方法以及使用此方法的记忆体控制电路单元与记忆体储存装置。本资料写入方法包括记录此记忆胞的磨损程度值,并且侦测记忆体储存装置的温度。本资料写入方法更包括,倘若记忆体储存装置的温度大于预先定义温度时,调整对应可复写式非挥发性记忆体模组的至少一个预先定义操作参数并且依据至少一个已调整操作参数来写入资料至此记忆胞。基此,本方法可精确地将资料储存至可复写式非挥发性记忆体模组中,由此降低记忆体储存装置的温度。
申请公布号 TW201541459 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW103119007 申请日期 2014.05.30
申请人 群联电子股份有限公司 PHISON ELECTRONICS CORP. 发明人 叶志刚 YEH, CHIH KANG;林纬 LIN, WEI
分类号 G11C16/10(2006.01);G11C29/52(2006.01) 主分类号 G11C16/10(2006.01)
代理机构 代理人 叶璟宗詹东颖刘亚君
主权项
地址 苗栗县竹南镇群义路1号 TW