| 发明名称 |
高电压半导体元件及其制造方法 |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
TWI506790 |
申请公布日期 |
2015.11.01 |
| 申请号 |
TW102104755 |
申请日期 |
2013.02.07 |
| 申请人 |
世界先进积体电路股份有限公司 |
发明人 |
廖志成;魏云洲;庄璧光;许静宜;林志威;陈文钟;张哲华;周永隆;周仲德;卓正伦;梁雅涵 |
| 分类号 |
H01L29/78;H01L21/336 |
主分类号 |
H01L29/78 |
| 代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
| 主权项 |
一种高电压半导体元件，包括：一半导体基板，具有一第一导电类型；一闸结构，位于该半导体基板之一部上；一对间隔物，分别设置于该闸结构之一侧壁上，其中该对间隔物之一为一复合间隔物，而该复合间隔物包括接触该闸结构之至少一第一绝缘间隔物、至少一假闸结构与一第二绝缘间隔物；一第一漂移区，设置于该半导体基板之一部内并位于该闸结构之一部与该对间隔物之一之下方，具有相反于该第一导电类型之一第二导电类型；以及一对掺杂区，分别设置于该闸结构之相对侧之该半导体基板之一部内，其中该对掺杂区具有该第二导电类型，且该对掺杂区之一系设置于该第一漂移区内。
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| 地址 |
新竹县新竹科学工业园区园区三路123号 |
