发明名称 多层配线基板之制造方法及多层配线基板
摘要
申请公布号 TWI507107 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW100104843 申请日期 2011.02.15
申请人 日本特殊陶业股份有限公司 发明人 前田真之介;铃木哲夫;平野训
分类号 H05K3/46;H01L23/12 主分类号 H05K3/46
代理机构 代理人 丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项 一种多层配线基板之制造方法,该多层配线基板具有将以相同的树脂绝缘材料为主体之复数个树脂绝缘层及复数个导体层交替地积层而多层化的积层构造体,于该积层构造体之第1主面侧,系配置有复数个第1主面侧连接端子,于该积层构造体之第2主面侧,系配置有复数个第2主面侧连接端子,该复数个导体层系形成于该复数个树脂绝缘层,藉由随着朝向该第1主面侧或该第2主面侧而扩径之导通导体连接,其特征在于,包含:金属导体部下层形成制程,系准备以可剥离之状态积层配置金属箔而成的基材,并且进行镀铜以将构成金属导体部之一部分的金属导体部下层形成于该金属箔上;树脂绝缘层形成制程,系在该金属导体部下层形成制程后,将以树脂绝缘材料为主体之增建材积层于该金属箔及该金属导体部下层之上,以形成该第2主面侧之最外层的树脂绝缘层;金属导体部下层露出制程,系使该金属导体部下层之上端面从该第2主面侧之最外层的树脂绝缘层露出;异种金属层形成制程,系在该金属导体部下层露出制程后,于该金属导体部下层之上端面及该第2主面侧之最外层之树脂绝缘层之上,形成由蚀刻率较铜还低之1种以上之金属构成的异种金属层;金属导体部上层形成制程,系在该异种金属层上, 将面积较该上端面更大且构成该金属导体部之一部分的金属导体部上层,形成于对应该上端面的位置;增建制程,系在该金属导体部上层形成制程后,藉由将由该增建材构成之复数个树脂绝缘层及复数个导体层交替地积层而多层化以形成积层构造体;基材除去制程,系在该增建制程后除去该基材以使该金属箔露出;以及连接端子形成制程,系藉由蚀刻除去露出之该金属箔及该金属导体部之至少一部分,以形成该复数个第2主面侧连接端子。
地址 日本