发明名称 直通矽贯穿孔光微影校准与定位
摘要
申请公布号 TWI506728 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW100100278 申请日期 2011.01.05
申请人 乌翠泰克股份有限公司 发明人 哈林 罗素T;林格蓝 彼得J;史普洛吉斯 艾慕德J;史坦普 安东尼K
分类号 H01L21/768;H01L23/544 主分类号 H01L21/768
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 一种用于制造积体电路结构之方法,特征在于下列步骤:在一基板中制造一第一开口;利用至少一填充材料来填充该第一开口;在该基板上及/或中制造一或多个结构;在该基板上方建构一保护材料,其中该保护材料包含一制程控制标记,及位于该第一开口之上且与该第一开口校准的一第二开口;以及透过该保护材料中的该第二开口,从该第一开口移除该填充材料,其中该制程控制标记系位于该等结构之上且与其对准,使得该制程控制标记之下之该基板的部分在移除该填充材料期间不受影响。
地址 美国