| 主权项 |
一种半导体记忆体装置，包括记忆体单元，该记忆体单元包括：电晶体，包含第一半导体膜、闸极绝缘膜、闸极、源极及汲极；记忆体元件，包含第一电极、位于该第一电极上之第二半导体膜以及位于该第二半导体膜上之第二电极，该第二电极与该电晶体之该源极及该汲极之一电连接；第一电容器，在该第一电极与该第二电极之间并联于该记忆体元件；以及第二电容器，在该第一电极与该第二电极之间并联于该记忆体元件及该第一电容器，且形成于该第一电容器上，其中，该第一电容器包含第三电极、位于该第三电极上之第一绝缘膜以及位于该第一绝缘膜上之第四电极，其中，该第二电容器包含第五电极、位于该第五电极上之第二绝缘膜以及位于该第二绝缘膜上之第六电极，以及其中，该记忆体元件之第一电极及该第一电容器之第四电极属于相同之导电层。
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