成膜装置;FILM DEPOSITION APPARATUS

摘要

成膜装置系具备有：真空容器；旋转台，系配置于该真空容器内，并用以将基板载置于其一面侧所设置之载置区域而加以公转；处理气体供给部，系将热裂解温度在1大气压下为520℃以上的处理气体供给至基板；以及加热部，系为了将该基板加热至600℃以上，以进行成膜处理，而加热该旋转台。该处理气体供给部系具备有：气体喷淋头，系具有对向于该基板通过区域而加以设置的复数处理气体喷出孔；以及冷却机构，系在成膜处理时，将该气体喷淋头中对向于该通过区域的对向部冷却至较该处理气体之热裂解温度要低的温度。