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经营范围
发明名称
半导体装置
摘要
课题降低由于电容的充放电导致的栅极电极的电压上升从而引起误动作的可能性。解决方法半导体装置包括:第一导电型漂移层20;与源极电极90相连接,且被安装在漂移层20上的第二导电型基极层30;以及与源极电极90相连接,贯穿基极层30从而延伸到漂移层20的第二导电型阵列层50。半导体装置包括:被安装在被设在阵列层50的上端两侧的一对第一沟槽63的内部,且被第一绝缘层62包围的一对第一栅极电极61;被设置在基极层30上,在第一绝缘层62中与阵列层50一侧反向的一侧部与该第一绝缘层62相邻接,且与源极电极90相连接的第一导电型源极区域31。
申请公布号
TW201541639
申请公布日期
2015.11.01
申请号
TW104110138
申请日期
2015.03.27
申请人
新电元工业股份有限公司 SHINDENGEN ELECTRIC MANUFACTURING CO., LTD.
发明人
浅田毅 ASADA, TAKESHI;北田瑞枝 KITADA, MIZUE;山口武司 YAMAGUCHI, TAKESHI;铃木教章 SUZUKI, NORIAKI
分类号
H01L29/772(2006.01);H01L27/085(2006.01)
主分类号
H01L29/772(2006.01)
代理机构
代理人
黄志扬
主权项
地址
日本 JP
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