黏晶（ｄｉｅ ｂｏｎｄ）薄膜、附有切割片之黏晶薄膜、半导体装置、及半导体装置之制造方法

摘要

本发明系提供可容易地确认半导体晶片的崩裂之黏晶薄膜。一种黏晶薄膜，其特征在于，将热硬化前于波长400nm下的透光率设为T1(%)，且将于120℃下加热1小时后于波长400nm下的透光率设为T2(%)时，T1为80%以上，T1与T2之差(T1-T2)为20%以下。