| 发明名称 |
由单晶矽构成的未经涂覆的半导体晶圆 |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
TWI506697 |
申请公布日期 |
2015.11.01 |
| 申请号 |
TW103101398 |
申请日期 |
2011.10.06 |
| 申请人 |
世创电子材料公司 |
发明人 |
道伯 艾里希;凯斯 雷蒙德;克罗斯勒 麦克;洛荷 汤玛士 |
| 分类号 |
H01L21/32;H01L21/687;C30B33/02;C30B29/06 |
主分类号 |
H01L21/32 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
陈翠华 台北市松山区南京东路3段261号6楼 |
| 主权项 |
一种由单晶矽构成、具有洁净区(denuded zone)的未经涂覆的半导体晶圆，其具有1×1013个原子/立方公分至8×1014个原子/立方公分的氮浓度，且半导体晶圆的前侧相对于直径为4毫米的圆形测量窗具有小于20奈米的奈米形貌特征(nanotopography)且相对于直径为20毫米的圆形测量窗具有小于40奈米的奈米形貌特征。 |
| 地址 |
德国 |
