发明名称 生产高纯度六氟化钨之方法及装置
摘要
申请公布号 TWI505994 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW097132249 申请日期 2008.08.22
申请人 林德北美公司 发明人 理查 艾伦 侯哥;榭 马;丹尼斯 普柯特;华特 休 惠洛克;唐诺 普仁堤斯 萨契尔 二世
分类号 C01G41/04 主分类号 C01G41/04
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种纯化含有过渡金属化合物杂质之六氟化钨气体的方法,其包含:藉由以下方法将该等过渡金属杂质与该六氟化钨气体分离:将起始六氟化钨气流引入含有含碳材料之密闭容器中;在使六氟化钨气体穿过该密闭容器之温度下,将该等过渡金属化合物杂质吸附于该含碳材料上;且收集穿过该密闭容器之六氟化钨气体;其中该密闭容器之操作温度系在275°K与500°K之间,该密闭容器之操作压力系在110kPa与500kPa之间。
地址 美国
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