在锗主动层下方有扩散障壁层之半导体装置

主权项

一种半导体装置，包含：配置在基底上方的闸极电极堆叠；锗主动层，配置在位于该闸极电极堆叠下方的该基底上方，扩散障壁层，配置在位于该锗主动层下方的该基底上方；接面泄漏抑制层，配置在位于该扩散障壁层下方的该基底上方；以及源极和汲极区，配置在该闸极电极堆叠的任一侧上之该接面泄漏抑制层上方，其中，该扩散障壁层被拉伸地施压，以及，该锗主动层被压缩地施压。