牵涉退火处理之用以结合半导体结构的方法以及使用此等方法形成之经结合半导体结构

主权项

一种将第一半导体结构直接结合至第二半导体结构的方法，其包含以下步骤：沈积金属于第一半导体结构上；使沈积在第一半导体结构上之金属经受第一热预算且使沈积在第一半导体结构上之金属在第一退火处理中退火；在金属经受第一热预算之后移除沈积在第一半导体结构上的一部分金属；使沈积在第一半导体结构上的剩余部分金属经受第二热预算且使沈积在第一半导体结构上的剩余部分金属在第二退火处理中退火；将包含沈积在第一半导体结构上的剩余部分金属的第一半导体结构之至少一金属特征结构直接结合至第二半导体结构之至少一金属特征结构，以形成包含第一半导体结构之至少一金属特征结构及第二半导体结构之至少一金属特征结构的一经结合金属结构；及使经结合金属结构经受第三热预算且使经结合金属结构在第三退火处理中退火，第三热预算小于第二热预算。