发明名称 带内置式瞬态电压抑制的介面;INTERFACES WITH BUILT-IN TRANSIENT VOLTAGE SUPPRESSION
摘要 本发明提出了一种用于保护电子设备不受外部过电应力、电磁干扰和静电放电影响的介面。该介面耦合到具有电路的印刷电路板上。周边设备包括多个导电线路,用于接通印刷电路板上的电路,其中每个导电线路都有不同的电势;介面中连接到导电线路的保护元件,会在导电线路上发生过电应力时,分流过电应力/电磁干扰/静电放电的能量。; and protection components connected to the conducting lines in the interface to shunt the EOS/EMI/ESD energy therethrough in the event of EOS occurring on the conducting lines.
申请公布号 TW201541732 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW103115095 申请日期 2014.04.25
申请人 万国半导体股份有限公司 ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED 发明人 李承柱 LEE, GILBERT S.
分类号 H01R13/53(2006.01) 主分类号 H01R13/53(2006.01)
代理机构 代理人 李国光张仲谦
主权项
地址 美国 US