发明名称 薄膜晶体管及其制造方法
摘要
申请公布号 TWI506797 申请公布日期 2015.11.01
申请号 TW102122141 申请日期 2013.06.21
申请人 业鑫科技顾问股份有限公司 发明人 李志隆;施博理
分类号 H01L29/786;H01L21/28 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人
主权项 一种薄膜电晶体的制造方法,包括:于一基板上形成闸极,在所述的基板上形成闸极绝缘层,以覆盖所述的闸极;于所述的闸极绝缘层上形成金属氧化物层,位于所述闸极的上方,包括源极区、通道区和漏极区;于所述的金属氧化物层上形成蚀刻阻挡层,覆盖所述金属氧化物层,并包括两个彼此分离的接触孔;于所述的蚀刻阻挡层上形成源极和漏极,分别位于所述金属氧化物层的两侧,并分别通过所述蚀刻阻挡层的接触孔与所述金属氧化物层接触;以所述源极和所述漏极为掩模实施一表面处理,使所述金属氧化物层通道区的氧浓度高于所述源极和所述漏极区的氧浓度。
地址 新竹县竹北市台元一街1号7楼之1