| 摘要 |
<p>Die vorliegende Anmeldung betrifft einen Siliciumcarbideinkristall, der eine Spiralversetzung (2) einschließt. Die Spiralversetzung schließt eine L-Versetzung (2a) mit einem als b definierten Burgersvektor ein, der den Ausdruck b > <0001> + 1/3 <11-20> erfüllt. Die L-Versetzung weist eine Dichte von gleich oder geringer als 300 Versetzungen/cm2, vorzugsweise 100 Versetzungen/cm2 auf, da die L-Versetzung eine große Verzerrung aufweist und die Bildung eines Leckstroms verursacht. Somit ist der qualitativ hochwertige Siliciumcarbideinkristall geeignet zur Herstellung einer Vorrichtung, die einen Leckstrom unterdrücken kann.</p> |
