| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines Nitridverbindungshalbleiter-Bauelements beschrieben, umfassend die Schritte:–Bereitstellen eines strukturierten Aufwachssubstrats (3), das eine Oberflächenstruktur aufweist, wobei die Oberflächenstruktur Erhebungen (31) aufweist, die nicht aneinander angrenzen, und wobei das Aufwachsubstrat in Zwischenräumen (32) zwischen den Erhebungen (31) eine ebene Oberfläche aufweist,–Aufwachsen einer ersten Schicht (1), welche GaN aufweist und die Oberflächenstruktur nicht vollständig überdeckt,–Aufwachsen einer zweiten Schicht (2), welche AlxGa1-xN mit 0 < x≤1 aufweist, auf die erste Schicht (1),–Durchführung eines Ätzprozesses, bei dem die erste Schicht (1) zumindest an einer Grenzfläche zum Aufwachssubstrat (3) teilweise entfernt wird,–Aufwachsen mindestens einer weiteren Nitridverbindungshalbleiter-Schicht (4), und–Ablösen des Aufwachssubstrats (1).</p> |
