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<p>반도체 소자 제조 방법은, 기판을 제공하는 단계, 기판 위에 제 1 패시베이션층을 형성하는 단계, 그리고 기판 위에 집적 패시브 회로를 형성하는 단계를 포함한다. 집적 패시브 회로는 인덕터, 캐패시터 및 레지스터를 포함한다. 제 2 패시베이션층이 집적 패시브 회로 위에 형성된다. 시스템 부품들이 제 2 패시베이션층에 장착되고 제 2 도전층에 전기적으로 연결된다. 몰딩 화합물이 집적 패시브 회로 위에 형성된다. 몰딩 화합물의 열팽창 계수는 시스템 부품들의 열 팽창계수와 대략적으로 동일하다. 기판이 제거된다. 개구가 제 1 패시베이션층 안으로 에칭되고, 솔더 범프들이 제 1 패시베이션층의 개구 위에 증착되어 집적 패시브 회로에 전기적으로 연결된다. 금속층이 시일딩을 위해 몰딩 화합물 또는 제 1패시베이션층 위에 형성될 수 있다.</p> |
