Optoelektronischer Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterchips

摘要

Es wird ein optoelektronischer Halbleiterchip (100) angegeben, der eine Halbleiterschichtenfolge (1) mit einer Oberseite (2) und einer der Oberseite (2) gegenüberliegenden Unterseite (3) aufweist. Die Halbleiterschichtenfolge (1) weist eine aktive Schicht (12) zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung auf. Auf der Oberseite (2) der Halbleiterschichtenfolge (1) ist eine Mehrzahl von Kontaktelementen (20) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterschichtenfolge (1) angeordnet. Der Halbleiterchip (100) ist dabei als Dünnfilmhalbleiterchip ausgeführt. Die Unterseite (3) der Halbleiterschichtenfolge (1) bildet eine Strahlungsauskoppelfläche, durch die hindurch die in der Halbleiterschichtenfolge (1) erzeugte Strahlung ausgekoppelt wird. Die Kontaktelemente (20) auf der Oberseite (2) der Halbleiterschichtenfolge (1) sind einzeln und unabhängig voneinander elektrisch ansteuerbar. Die Halbleiterschichtenfolge (1) weist eine Dicke von höchstens 3 µm auf.