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Halbleitereinheit, aufweisend: eine untere Gate-Elektrode (115); eine erste isolierende Schicht (120), die über der unteren Gate-Elektrode angeordnet ist, wobei die erste isolierende Schicht eine erste offene Ausnehmung (125) aufweist, die über der unteren Gate-Elektrode ausgerichtet ist; eine zweite isolierende Schicht (150), die über der ersten isolierenden Schicht angeordnet ist, wobei die zweite isolierende Schicht eine zweite offene Ausnehmung (155) aufweist, die gegenüberliegend zu der ersten offenen Ausnehmung angeordnet ist; eine Graphenschicht (130), die zwischen der ersten und der zweiten isolierenden Schicht angeordnet ist, wobei ein Teil der Graphenschicht zwischen der ersten und der zweiten offenen Ausnehmung eingehängt ist; wenigstens eine Prüfelektrode (140; 142), die auf der Graphenschicht benachbart zu der ersten und der zweiten offenen Ausnehmung angeordnet ist, eine langgestreckte Nanostruktur (170), die an dem Teil der Graphenschicht längs entlang der Graphenschicht (130) angebracht ist, der zwischen der ersten und der zweiten offenen Ausnehmung eingehängt ist; und eine obere Gate-Elektrode (160), die über der zweiten isolierenden Schicht angeordnet ist, wobei die obere Gate-Elektrode über der unteren Gate-Elektrode und der ersten und der zweiten offenen Ausnehmung ausgerichtet ist, wobei Positionen des Teils der Graphenschicht und der darauf angebrachten Nanostruktur geändert werden, wenn eine elektrische Spannung zwischen der Prüfelektrode und entweder der ersten Gate-Elektrode oder der zweiten Gate-Elektrode angelegt ist. |
