| 摘要 |
<p>Eine Halbleitervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung weist Folgendes auf: eine erste Halbleiterschicht (7) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine zweite Halbleiterschicht (1) des ersten Leitfähigkeitstyps, die an die erste Halbleiterschicht angrenzt und eine geringere Störstellenkonzentration aufweist als die erste Halbleiterschicht, eine dritte Halbleiterschicht (3) eines zweiten Leitfähigkeitstyps angrenzend an die zweite Halbleiterschicht, eine vierte Halbleiterschicht (5) des ersten Leitfähigkeitstyps, die sich innerhalb der dritten Halbleiterschicht befindet, eine erste Elektrode (10), die elektrisch mit der dritten Halbleiterschicht und der vierten Halbleiterschicht gekoppelt ist, eine zweite Elektrode (11), die elektrisch mit der ersten Halbleiterschicht gekoppelt ist, und ein isoliertes Gate (8), das über jeder der Oberflächen der dritten Halbleiterschicht und der vierten Halbleiterschicht bereitgestellt ist. Dabei liegt der Spitzenwert der Störstellenkonzentration der dritten Halbleiterschicht (3) im Bereich von wenigstens 2 × 1016 cm–3 bis höchstens 5 × 1018 cm–3.</p> |
