Kurzschlussvorrichtung zum automatischen Kurzschließen eines Transistors und Verfahren zu einem solchen Kurzschließen

摘要

Die Erfindung betrifft eine Kurzschlussvorrichtung (1) zum automatischen Kurzschließen eines ersten Elements eines Transistors mit einem zweiten Element des Transistors in einem thermischen Fehlerfall des Transistors, mit einer ersten Kurzschlussfläche (2), welche mit dem ersten Element elektrisch gekoppelt ist, einer zweiten Kurzschlussfläche (3), welche mit dem zweiten Element elektrisch gekoppelt ist, und einer Isolationsschicht (4) zwischen den beiden Kurzschlussflächen, wobei die beiden Kurzschlussflächen (2, 3) in einem Normalbetrieb (I) des Transistors vor dem Fehlerfall elektrisch voneinander isoliert sind und in einem auf den Fehlerfall folgenden Kurzschlussbetrieb (II) des Transistors elektrisch kurzgeschlossen sind, wobei in dem Normalbetrieb (I) des Transistors die beiden Kurzschlussflächen (2, 3) und die Isolationsschicht (4) druckfrei aneinander gehalten sind und darauf ausgelegt sind, dass erst im thermischen Fehlerfall des Transistors durch eine Hitzeentwicklung die beiden Kurzschlussflächen (2, 3) gegeneinander drückbar sind, um eine Kurzschlussvorrichtung (1) mit einem einfachen Aufbau zu erhalten, welche bei zuverlässiger Funktionsweise räumlich kompakt ausgeführt werden kann und dabei möglichst unempfindlich gegenüber Erschütterungen und anderen von außen einwirkenden Kräften ist.