| 摘要 |
Ein magnetoresistiver Direktzugriffsspeicher (MRAM) in Kreuzpunktanordnung, der Vorrichtungen implementiert, die auf einem Spin-Hall-Magnettunnelübergang (Spin-Hall-MTJ) basieren, und Betriebsverfahren solcher Anordnungen sind beschrieben. Zum Beispiel umfasst eine Bitzelle für einen nichtflüchtigen Speicher einen Magnettunnelübergangs-Stapel (MTJ-Stapel), der über einem Substrat angeordnet ist und eine freie magnetische Schicht aufweist, die über einer dielektrischen Schicht angeordnet ist, die über einer festen magnetischen Schicht angeordnet ist. Die Bitzelle umfasst zudem eine Spin-Hall-Metallelektrode, die über der freien magnetischen Schicht des MTJ-Stapels angeordnet ist. |
