LECKRESISTENTE RRAM/MIM-STRUKTUR

摘要

Eine integrierte Schaltkreis-Vorrichtung enthält eine ohmsche Direktzugriffsspeicher(RRAM)-Zelle oder eine MIM-Kondensatorzelle mit einer Dielektrikumschicht, einer oberen leitfähigen Schicht und einer unteren leitfähigen Schicht. Die Dielektrikumschicht enthält eine Umfangsregion neben einem Rand der Dielektrikumschicht und eine mittige Region, die von der Umfangsregion umgeben wird. Die obere leitfähige Schicht stößt an die Dielektrikumschicht und befindet sich über ihr. Die untere leitfähige Schicht stößt an die Dielektrikumschicht in der mittigen Region und befindet sich unter ihr, aber stößt nicht an die Dielektrikumschicht in der Umfangsregion der Zelle. Ein Anstoßen kann entweder durch eine zusätzliche Dielektrikumschicht zwischen der unteren leitfähigen Schicht und der Dielektrikumschicht, die sich ausschließlich in der Umfangsregion befindet, oder durch Abtrennen der unteren Elektrodenschicht kurz vor der Umfangsregion verhindert werden. Schäden oder Kontaminierungen am Rand der Dielektrikumschicht führen nicht zu Leckströmen.