Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbid und Siliziumkarbid

摘要

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbid bereit, welches umfasst: Bereitstellen einer Vorrichtung zur Herstellung von Siliziumkristallen mit Kohlenstofferhitzer; Bilden eines Siliziumkarbid-Nebenprodukts auf einer Oberfläche des Kohlenstofferhitzers, wenn ein Siliziumkristall aus einer Siliziumschmelze hergestellt wird, die in einem Behälter, welcher durch den Kohlenstofferhitzer unter einer nichtoxidierenden Atmosphäre erhitzt wird, enthalten ist,; und Gewinnen des Siliziumkarbid-Nebenprodukts zum Herstellen von Siliziumkarbid. Hierdurch wird ein Verfahren bereitgestellt, mit dem Siliziumkarbid unter geringem Energieaufwand zu niedrigen Kosten hergestellt werden kann.