发明名称 Verfahren und Einrichtung zur Ermittlung der Temperaturkalibrierkennlinie eines Halbleiterbauelements der Leistungselektronik
摘要 <p>Verfahren zur Ermittlung der Temperaturkalibrierkennlinie eines Halbleiterbauelements der Leistungselektronik, dadurch gekennzeichnet, dass die Leistungsanschlüsse des Halbleiterbauelements (3)–mit einer ersten Stromquelle (1) für einen Laststrom (ILast),–mit einer zweiten Stromquelle (2) für einen Messstrom (IMess),–mit einem Voltmeter (V) zur Messung der über entweder die Leistungsanschlüsse oder mit den Leistungsanschlüssen verbundenen Hilfsanschlüssen abfallenden Spannung (UCE) zusammengeschaltet werden, wobei das mit einem Datenverarbeitungssystem verbundene Halbleiterbauelement (3)–in Intervallen bei zugeschalteter erster Stromquelle (1) über dessen Verlustleistung erwärmt wird,–die bei abgeschalteter erster Stromquelle (1) und zugeschalteter zweiter Stromquelle (2) über die Leistungs- oder Hilfsanschlüsse abfallende Spannung (UCE) zwischen den Intervallen nach einer durch die thermische Hauptzeitkonstante des Halbleiterbauelements (3) bestimmten Zeitdauer als die Temperatur repräsentierende Werte gemessen werden,–gleichzeitig die Temperatur mittels wenigstens einen an das Halbleiterbauelement (3) gekoppelten und mit dem Datenverarbeitungssystem zusammengeschalteten Temperatursensors erfasst wird und–die jeweilige Temperatur dem Spannungswert zugeordnet wird, so dass die Spannungswerte und die Temperaturen nach einer Näherung die Kalibrierkennlinie des Halbleiterbauelements (3) bilden.</p>
申请公布号 DE102012005815(B4) 申请公布日期 2015.10.29
申请号 DE20121005815 申请日期 2012.03.17
申请人 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 发明人 BOHLLÄNDER, MARCO;HEROLD, CHRISTIAN;HILLER, SEBASTIAN
分类号 G01R31/26;G01N27/18 主分类号 G01R31/26
代理机构 代理人
主权项
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