发明名称 | 基于光子频率上转换的太赫兹成像器件、转换方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种基于光子频率上转换的太赫兹成像器件,包括太赫兹上转换器件和硅基成像器件,其中,太赫兹上转换器件用于将太赫兹二维图像信号转换为近红外或者可见光二维图像信号;硅基成像器件用于将转换得到的近红外或者可见光二维图像信号进行接收探测。其所要解决的技术问题是提供一种无像元太赫兹成像器件。它基于红外光子频率上转换的原理,将红外光信号转换为近红外光子,然后利用硅基成像器件实现探测和成像,这一方法能够大大降低太赫兹成像的技术难度和成本。 | ||
申请公布号 | CN102832289B | 申请公布日期 | 2015.10.28 |
申请号 | CN201210287273.X | 申请日期 | 2012.08.13 |
申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 刘惠春;杨耀;张月蘅 |
分类号 | H01L31/16(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/16(2006.01)I |
代理机构 | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人 | 胡晶 |
主权项 | 一种基于光子频率上转换的太赫兹成像器件,其特征在于,包括太赫兹上转换器件和硅基成像器件,其中,太赫兹上转换器件:用于将太赫兹二维图像信号转换为近红外或者可见光二维图像信号;硅基成像器件:用于将转换得到的近红外或者可见光二维图像信号进行接收探测;太赫兹上转换器件包括太赫兹探测器和发光二极管,其中:太赫兹探测器用以实现对太赫兹光子的接收和探测,将太赫兹光信号转化为电信号,并将由所述太赫兹探测器所产生的光电子会迁移到发光二极管的工作区与空穴复合,产生波长为1微米以下的近红外光子或者可见光光子;太赫兹探测器为半导体量子阱太赫兹探测器。 | ||
地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 |