| 摘要 |
본 발명은 방사광의 강도가 높은 발광 장치를 제공한다. 360㎚ 이상 500㎚ 이하의 범위 내에 발광광의 피크를 갖는 청색 LED 칩(20)은 이방성 도전 접착제(12)에 의해 전극 기판(11)에 접착되어 있다. 이방성 도전 접착제(12)에 함유되는 도전 입자(1)의 표면에는 은 합금의 광 반사층이 형성되어 있고, 청색의 광에 대한 반사율이 높다. 광 반사층은, Ag, Bi, Nd의 합계를 100중량％로 했을 때, Bi를 0.1중량％ 이상 3.0중량％ 이하의 값, Nd를 0.1중량％ 이상 2.0중량％ 이하의 값으로 함유하는 스퍼터링 타깃을 스퍼터링하여 형성되어 있고, 마이그레이션에 대한 내성도 높다. |
