利用CMP技术的具有平坦表面的沟槽MOS势垒肖特基整流器

摘要

本发明提供了一种形成半导体器件的方法，还提供一种半导体器件。本发明还提供一种利用CMP技术的具有平坦表面的沟槽MOS势垒肖特基整流器。通过使在制造的各个阶段的形貌变化最小化来制造具有包括减小的反向漏电电流、可靠的可焊性特性，以及更高的制造产率的改善的性能的高效率二极管(HED)整流器。通过在形成场氧化物、多晶硅和/或可焊接的顶部金属之后利用CMP处理使HED整流器平坦化，使形貌的变化最小化。

主权项

一种半导体器件，包括：外延层；硅化物层，设置在所述外延层的至少一部分上；场氧化物，延伸到所述外延层中；平坦的表面，包括所述场氧化物的平坦的区域和所述外延层的平坦的区域，所述平坦的表面与所述硅化物层的平坦的底部表面接触；沟槽，设置在所述外延层中，所述沟槽具有沟槽侧壁和底部；屏蔽电介质，为沟槽侧壁和所述沟槽的底部加衬，所述屏蔽电介质设置在所述场氧化物的至少一部分上；以及多晶硅，设置在所述沟槽中。