一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，包括以下步骤，提供一设有硅纳米线的硅片；在所述硅片上依次生长具有第一厚度的第一Si₃N₄薄膜、SiO₂薄膜以及具有第二厚度的第二Si₃N₄薄膜；所述第二厚度大于第一厚度；进行光刻工艺，将所述第二Si₃N₄薄膜图形化，形成窗口，沿所述窗口刻蚀暴露的所述硅纳米线上方的第二Si₃N₄薄膜区域至暴露出该第二Si₃N₄薄膜区域下方的SiO₂薄膜；继续刻蚀；去除所述其余第二Si₃N₄薄膜区域覆盖的光刻胶；接着置于浓磷酸中，腐蚀掉硅纳米线上方的第一Si₃N₄薄膜，暴露出所述硅纳米线。该方法确保了传感器可以在液体环境中进行检测；硅纳米线不会受到损伤，而在后续敏感膜修饰时，生物基团也可以有选择性地吸附在敏感区域。

主权项

一种传感器非敏感区域保护薄膜的制备方法，其特征在于：该制备方法包括以下步骤，1)提供一设有硅纳米线的硅片；2)在所述硅片上生长具有第一厚度的第一Si₃N₄薄膜；3)在所述第一Si₃N₄薄膜上生长SiO₂薄膜；4)在所述SiO₂薄膜上生长具有第二厚度的第二Si₃N₄薄膜；所述第二厚度大于第一厚度；所述SiO₂薄膜作为两层Si₃N₄薄膜中间的缓冲层；5)进行光刻工艺，将所述第二Si₃N₄薄膜图形化，形成窗口，使得所述硅纳米线上方的第二Si₃N₄薄膜区域暴露出来；其余第二Si₃N₄薄膜区域覆盖光刻胶；6)沿所述窗口刻蚀暴露的所述硅纳米线上方的第二Si₃N₄薄膜区域至暴露出该第二Si₃N₄薄膜区域下方的SiO₂薄膜；7)继续刻蚀所述硅纳米线上方的SiO₂薄膜；8)去除所述其余第二Si₃N₄薄膜区域覆盖的光刻胶；9)将步骤8)获得的结构置于浓磷酸中，腐蚀掉硅纳米线上方的第一Si₃N₄薄膜，暴露出所述硅纳米线。