一种二次电子发射薄膜的制备方法

摘要

本发明公开一种二次电子发射薄膜的制备方法，包括：1）、在金属基底上沉积缓冲层；2）、在缓冲层上沉积氧化镁与金属混合层，氧化镁与金属混合层采用溅射镁靶/氧化镁靶和溅射其他金属靶的方式沉积而成；3）、在氧化镁与金属混合层上沉积表层。本发明步骤2）中，采用两个靶材分别沉积氧化镁和其它金属，单独控制各个靶材的溅射功率、溅射时间、工作气体和反应气体流量及基底温度制备出具有适当的氧化镁和金属晶粒尺寸、氧化镁结晶取向、金属含量及金属晶粒在膜层中的分布以及膜层厚度的氧化镁金属混合层；采用这种方法制备的二次电子发射薄膜既有高的二次电子发射系数，而且由于有好的导电性，因而其还有高的二次电子发射稳定性。

主权项

一种二次电子发射薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)、采用溅射钛、镍、铬、金、银、铂中一种材料的靶材或由其中几种材料组成的复合靶材在金属基底(4)上沉积缓冲层(1)，其厚度为3‑100nm；2)、在缓冲层(1)上沉积氧化镁与金属混合层(2)，氧化镁与金属混合层(2)采用溅射镁靶或氧化镁靶和溅射其他金属靶的方式沉积而成，其中所述的其他金属靶为金、银、铂材料中的一种靶材或由其中几种材料组成的复合靶材；由氧化镁与金属混合层(2)底部至顶部，金属的含量逐渐递减，氧化镁的含量逐渐递增；氧化镁与金属混合层(2)的总厚度为30‑300nm；3)、在氧化镁与金属混合层(2)上沉积表层，其厚度为5‑20nm。