一种功率型LED封装用的有机硅材料及其制备方法

摘要

本发明公开了一种功率型LED封装用的有机硅材料，由以下组分制得，含乙烯基和钛元素的硅聚合物、含硅氢键和钛元素的硅聚合物、固化催化剂和抑制剂。另外提供了一种功率型LED封装用的有机硅材料的制备方法，并公开了含乙烯基和钛元素的硅聚合物、含硅氢键和钛元素的硅聚合物的具体的制备过程。本发明提供的有机硅材料具有较高的折光率（折光率达到1.53-1.65），高透明度、优良的耐紫外老化和热老化能力等特点，是功率型LED的理想封装材料。

主权项

一种功率型LED封装用的有机硅材料，其特征在于，由以下组分制得，按重量份计：制备方法为：取含乙烯基和钛元素的硅聚合物和含硅氢键和钛元素的硅聚合物，加入固化催化剂，加入抑制剂，搅拌均匀，即得，所述的含乙烯基和钛元素的硅聚合物结构如下：(R3SiO0.5)m(R2SiO)n(RSiO1.5)x(SiO2)y(TiO2)z上式所述聚合物是由两种或两种以上结构为RaSi(OR¹)4‑a或RaSiCl4‑a的硅单体与(R²O)2(R³)2Ti钛酸酯络合物混合缩聚而成，a为0～4，但不等于4，m≠0，0＜z：(m+n+x+y+z)≤0.1，1≤(3m+2n+x)：(m+n+x+y+z)＜2，所述的两种或两种以上结构为RaSi(OR¹)4‑a或RaSiCl4‑a的硅单体中的R至少有一种为链烯基，其他种的R为链烯基、1～6碳的烷基或芳基，R¹、R²为1～6碳的烷基，R³为乙酰丙酮基或者三乙醇胺基，所述的含硅氢键和钛元素的硅聚合物结构如下：(R⁴3SiO0.5)h(R⁴2SiO)i(R⁴SiO1.5)j(SiO2)k(TiO2)L上式所述聚合物是由两种或两种以上结构为R⁴bSi(OR⁵)4‑b或R⁴bSiCl4‑b的硅单体与(R²O)2(R³)2Ti钛酸酯络合物混合缩聚而成，b为0～4，但不等于4，h≠0，0＜L：(h+i+j+k+L)≤0.1，1≤(3h+2i+j)：(h+i+j+k+L)＜2，所述的由两种或两种以上结构为R⁴bSi(OR⁵)4‑b或R⁴bSiCl4‑b的硅单体中的R⁴至少有一种为氢基，其他种的R⁴为氢基、1～6碳的烷基、链烯基或芳基，R⁵、R²为1～6碳的烷基，R³为乙酰丙酮基或者三乙醇胺基。