发明名称 一种电容式MEMS传感器检测电路
摘要 本发明公开一种电容式MEMS传感器检测电路。该电路用来检测MEMS的极板位移变化,主要包括:一个产生正弦波的高频振荡电路;两个C<sup>-1</sup>/V检测电路;差分放大电路;相移网络;乘法电路;低通滤波电路和放大输出电路。高频振荡电路产生三路同相的正弦波,其中两路提供给两个C<sup>-1</sup>/V检测电路,以完成对MEMS的极板位移引起的C<sup>-1</sup>变化的检测;差分放大电路用以消除本体电容带来的影响,提高检测的精度;相移网络用于补偿经过C<sup>-1</sup>/V电路的相移,确保输入乘法电路的信号相位相同;低通滤波电路滤掉乘法器输出信号的高次谐波,提取出反映MEMS极板位移变化的信号,从而完成对MEMS极板位移变化的检测。
申请公布号 CN105004259A 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201510469374.2 申请日期 2015.07.31
申请人 华南理工大学 发明人 姚若河;侯俊科;刘玉荣;韦岗
分类号 G01B7/14(2006.01)I 主分类号 G01B7/14(2006.01)I
代理机构 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 代理人 何淑珍
主权项 一种电容式MEMS传感器检测电路,用于输出与MEMS极板间距变化对应的电信号,检测MEMS的极板位移变化,其特征在于包括:高频振荡电路(1)、C<sup>‑1</sup>/V电路(2);差分放大电路(3)、乘法器电路(4)、低通滤波器(5)、放大输出电路(6)和相移网络(7);其中,高频振荡电路(1)产生三路正弦信号,其中两路正弦信号分别输出至两个C<sup>‑1</sup>/V检测电路(2),两个C<sup>‑1</sup>/V检测电路分别输出至差分放大电路(3)的两个输入端子,对两路C<sup>‑1</sup>/V信号进行差分放大,以消除MEMS接口处本体电容带来的影响,输出至乘法器电路(4)的一个输入端子;而三路正弦信号的另外一路输出至相移网络电路(7),经过相移后输出至乘法器的另外一个输入端子;乘法器对差分放大后的C<sup>‑1</sup>/V信号进行解调输出至低通滤波电路(5),经过低通滤波后输出至放大输出电路(6),经过放大器的缓冲后输出。
地址 510640 广东省广州市天河区五山路381号