| 主权项 |
一种抗单粒子翻转的敏感放大器，其特征在于，包括预充电电路(1)、输入控制结构(2)和锁存电路(3)；预充电电路的输入端口分别连接预充电信号线(EN)和两条互补数据输入线(BL、BL#)，预充电电路分别将两条互补数据输入线与电源相连，并将两条互补数据输入线相连接，使互补数据输入线预充电平衡；输入控制结构的输入端连接工作控制信号线(SE)，以及预充电电路的互补数据输入线的输出端；输入控制结构的输出端连接锁存电路的内部节点以及接地点；锁存电路包括多个交叉耦合的反相器组成的锁存结构和多个双向的反馈反相器组成的反相器，锁存结构和反相器交叉设置，内部节点位于锁存结构、反相器的内部中；锁存电路的输出端分别连接两条互补数据输出线(OUT、OUT#)；所述的输入控制结构(2)包括第五PMOS管(P5)、第六PMOS管(P6)、第七PMOS管(P7)、第八PMOS管(P8)及第五NMOS管(N5)；第五PMOS管(P5)的栅极接工作控制信号线(SE)，漏极接第一互补数据输出线(OUT)，源极接第一互补数据输入线(BL)，衬底接电源；第六PMOS管(P6)的栅极接工作控制信号线(SE)，漏极接内部节点Bb，源极接第二互补数据输入线(BL#)，衬底接电源；第七PMOS管(P7)的栅极接工作控制信号线(SE)，漏极接内部节点B，源极接第一互补数据输入线(BL)，衬底接电源；第八PMOS管(P8)的栅极接工作控制信号线(SE)，漏极接第二互补数据输出线(OUT#)，源极接第二互补数据输入线(BL#)，衬底接电源；第五NMOS管(N5)栅极接工作控制信号线(SE)，漏极接内部节点N，源极与衬底接地；锁存电路(3)由第一PMOS管(P1)、第一NMOS管(N1)、第二PMOS管(P2)、第二NMOS管(N2)、第三PMOS管(P3)、第三NMOS管(N3)、第四PMOS管(P4)及第四NMOS管(N4)构成；第一PMOS管(P1)的栅极接第二互补数据输出线(OUT#)，漏极接第一互补数据输出线(OUT)，源极和衬底接电源；第一NMOS管(N1)的栅极接内部节点Bb，漏极接第一互补数据输出线(OUT)，源极接内部节点N，衬底接地；第二PMOS管(P2)的栅极接第一互补数据输出线(OUT)，漏极接内部节点Bb，源极和衬底接电源；第二NMOS管(N2)的栅极接内部节点B，漏极接内部节点Bb，源极接内部节点N，衬底接地；第三PMOS管(P3)的栅极接内部节点Bb，漏极接内部节点B，源极与衬底接电源；第三NMOS管(N3)的栅极接第二互补数据输出线(OUT#)，漏极接内部节点B，源极接内部节点N，衬底接地；第四PMOS管(P4)的栅极接内部节点B，漏极接第二互补数据输出线(OUT#)，源极与衬底接电源；第四NMOS管(N4)的栅极接第一互补数据输出线(OUT)，漏极接第二互补数据输出线(OUT#)，源极接内部节点N，衬底接地。 |
