发明名称 一种高性能取向碳纳米管薄膜电极的制备方法
摘要 本发明属于太阳能电池技术领域,具体为一种高性能取向碳纳米管薄膜电极的制备方法。本发明方法包括:采用胶带法制备取向碳纳米管薄层阵列,采用加压法制备高性能取向碳纳米管薄膜电极。该方法操作简单,可控性好,制备的碳纳米管薄膜电极表面平整且均一。将该取向碳纳米管薄膜电极用于太阳能电池的对电极,所组装的太阳能电池具有优异的性能,其效率可以超过相同条件下采用传统铂作为对电极的效率。
申请公布号 CN102737853B 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201210223219.9 申请日期 2012.07.02
申请人 宁国市龙晟柔性储能材料科技有限公司 发明人 彭慧胜;仰志斌;黄三庆;张玲莉;蔡振波
分类号 H01L51/48(2006.01)I;H01G9/042(2006.01)I;H01G9/20(2006.01)I 主分类号 H01L51/48(2006.01)I
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人 陆飞;盛志范
主权项 一种高性能取向碳纳米管薄膜电极的制备方法,其特征在于具体步骤如下:第一,取向碳纳米管阵列薄层的制备将胶带贴在宽度为100 nm‑2 mm基底上,得到带胶基底,并使其与碳纳米管阵列边缘顶部垂直接触,然后撕下所述带胶基底,边缘的一层取向碳纳米管阵列被粘附并转移到所述带胶基底上,得到取向碳纳米管阵列薄层,该取向碳纳米管阵列薄层的厚度等于所述带胶基底的宽度100 nm‑2 mm;然后,按住取向碳纳米管阵列薄层,同时滴加或者不加少量酒精或者丙酮,撕掉所述带胶基底,取向碳纳米管阵列薄层被分离并转移到第二基底上,其中,碳纳米管平行于所述第二基底取向;第二,高性能取向碳纳米管薄膜的制备在取向碳纳米管阵列薄层表面滴加酒精或者其他有机溶剂并放置一片载玻片,然后在载玻片上施加大小为10<sup>5</sup>‑10<sup>7</sup> Pa 的压力,将取向碳纳米管阵列薄层压缩成厚度为100 nm‑100µm,密度为10<sup>10</sup>‑4×10<sup>11</sup> cm<sup>‑2</sup>的取向碳纳米管薄膜;该取向碳纳米管薄膜作为对电极用于染料敏化太阳能电池。
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