一种光电二极管

摘要

本实用新型公开了一种光电二极管，包括低掺杂N型正方形晶片、高掺杂的P型(P+)硅层、高掺杂的N型(N+)硅环、N型(N-)硅层、缓冲层、N-AlGaAs布拉格反射层、P-AlGaAs布拉格反射层、氮化硅硅膜和磁屏蔽圈，所述的低掺杂N型正方形晶片上设有圆角正方体的高掺杂的P型(P+)硅层，P型(P+)硅层两侧设有布拉格反射层，N型长方形晶片的周边设有高掺杂的N型(N+)硅环，硅晶片上表面设有氮化硅硅膜，氮化硅硅膜外围设有磁屏蔽圈。本实用新型采用低掺杂N型正方形晶片作为基片，提高了反向击穿电压，采用高掺杂的N型(N+)硅环减少暗电流，两个布拉格反射层构成谐振腔，对光电进行调整，磁屏蔽圈减少外部的电磁干扰，确保电信号输出的稳定性。

主权项

一种光电二极管，包括低掺杂N型正方形晶片(1)、高掺杂的P型(P+)硅层(2)、高掺杂的N型(N+)硅环(3)、N型(N‑)硅层(4)、缓冲层(5)、N‑AlGaAs布拉格反射层(6)、P‑AlGaAs布拉格反射层(7)、氮化硅硅膜(8)和磁屏蔽圈(12)，其特征在于，所述的低掺杂N型正方形晶片(1)上设有圆角正方体的高掺杂的P型(P+)硅层(2)，低掺杂N型正方形晶片(1)底部设有缓冲层(5)，低掺杂N型正方形晶片(1)与高掺杂的P型(P+)硅层(2)之间设有N‑AlGaAs布拉格反射层(6)，高掺杂的P型(P+)硅层(2)顶部设有P‑AlGaAs布拉格反射层(7)，低掺杂N型长方形晶片(1)的周边设有高掺杂的N型(N+)硅环(3)，高掺杂的N型(N+)硅环(3)和高掺杂P型(P+)硅层(2)之间隔着N型(N‑)硅层(4)，硅晶片上表面设有氮化硅硅膜(8)，高掺杂的P型(P+)硅(2)上表面中心部位的氮化硅膜(8)上的开有圆形接触孔(9)，接触孔(9)内贴附有金属AL膜作为阳极(10)，金属AL膜厚度为1.8‑2.2μm，N型(N‑)硅晶片的背面积淀金属Au膜作为阴极(11)，金属Au膜厚度为0.2μm，氮化硅硅膜(8)外围设有磁屏蔽圈(12)。