一种荷电纳滤膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种荷电纳滤膜的制备方法，以新制成的超滤膜为基膜，基膜聚合物为主链或侧链带有羰基或磺酰基的光敏性聚合物，将基膜洗净后浸泡于装有接枝单体溶液的刚性密闭容器中，浸泡之后对所述刚性密闭容器抽真空，使其中的压强为负压；将处理后的基膜取出置于紫外灯下照射接枝，冲入氮气保护，之后取出用去离子水超声清洗三次以上，得到该荷电纳滤膜，该方法通过界面聚合的方式在基膜上制备荷正电的纳滤膜，制备的纳滤膜带电荷稳定，截留率高，可以在现有的复合膜生产线上实现产业化的生产。

主权项

一种荷电纳滤膜的制备方法，其特征在于：(1)以新制成的超滤膜为基膜，基膜聚合物为主链或侧链带有羰基或磺酰基的光敏性聚合物，截留分子量为7000‑9000，将基膜洗净后浸泡于装有质量浓度为0.5‑10％的接枝单体溶液的刚性密闭容器中，浸泡5‑10min，之后对所述刚性密闭容器抽真空，使其中的压强为0.5‑0.8个大大气压，保持2‑10min；(2)将步骤(1)中处理后的基膜取出置于功率为400W的紫外灯下照射接枝，冲入氮气保护，基膜与紫外灯的距离为5‑40cm，辐照接枝的时间为0.5‑30min，之后取出用去离子水超声清洗三次以上，得到该荷电纳滤膜。