发明名称 基于增敏结构温度补偿的珐珀应变传感器装置及制作方法
摘要 本发明公开了一种基于增敏结构温度补偿的珐珀应变传感器装置及制作方法。本发明利用增敏结构和基底材料热膨胀系数的差异,在高温环境下基底材料的热膨胀和增敏结构的热膨胀相互抵消,从而消除基底热应变对传感器应变精确测量的影响。本发明设计的珐珀应变传感器装置输入输出为同一根光纤,结构简单、灵敏度高,能够精确消除高温环境下基底产生的热应变对珐珀应变传感器测量精度的影响。
申请公布号 CN105004279A 申请公布日期 2015.10.28
申请号 CN201510458623.8 申请日期 2015.07.30
申请人 电子科技大学 发明人 冉曾令;王真真;杨科;马顺飞
分类号 G01B11/16(2006.01)I 主分类号 G01B11/16(2006.01)I
代理机构 成都宏顺专利代理事务所(普通合伙) 51227 代理人 周永宏;王伟
主权项 一种基于增敏结构温度补偿的珐珀应变传感器装置,其特征在于,包括基底(1)、增敏结构以及珐珀应变传感器(5);所述增敏结构包括分别焊接于基底(1)上的第一金属片(2)和第二金属片(3);所述珐珀应变传感器(5)分别与第一金属片(2)和第二金属片(3)焊接,两焊点的间距与两金属片的间距相等。
地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号