基于硅基低漏电流双固支梁可动栅的频率检测器

摘要

本发明的基于硅基低漏电流双固支梁可动栅MOSFET的频率检测器，由隔直电容、λ/100延迟线，λ/4延迟线、高频扼流线圈、开关、低通滤波器、双固支梁可动栅结构的N型MOSFET构成。双固支梁作为MOSFET的可动栅极，有效地降低了功耗。频率检测时，两个固支梁都处于下拉状态，通过延迟线产生一定相位差的两路信号输入到MOSFET的两个固支梁栅极上，检测源漏极饱和电流，由相位差得到待测微波信号的频率。信号放大状态时，连接λ/100延迟线的固支梁处于下拉状态，λ/4延迟线末端短路，始端相当于开路，待测微波信号完全由另一路输出到固支梁，电路处于信号放大状态。由于悬浮的固支梁下方存在着高阻区域，增大了MOSFET的反向击穿电压。

主权项

一种基于硅基低漏电流双固支梁可动栅MOSFET的频率检测器，其特征是：MOSFET制作在P型硅衬底(1)上，沟道栅氧化层(2)设置在P型硅衬底(1)上，在沟道栅氧化层(2)的上方设有两个固支梁(9)，材料为Au，作为MOSFET的可动栅，其下拉电压设置为MOSFET的阈值电压，固支梁(9)横跨在锚区(6)上，锚区(6)与输入引线(5)相连，作为微波信号和直流偏置信号的输入端，其中，微波信号由微波信号输入端口输入，通过隔直电容后分为两路，分别经λ/100延迟线和λ/4延迟线输入到两个固支梁(9)上，直流偏置信号由第一偏置端口(12)和第二偏置端口(13)输入，通过高频扼流圈分别输入到两个固支梁(9)上，锚区(6)和输入引线(5)的制备材料为多晶硅，固支梁(9)的下面各分布着一个下拉电极(4)，下拉电极(4)接地，下拉电极上覆盖一层绝缘的氮化硅介质层(3)；MOSFET源区(7)，MOSFET漏区(8)分别设置在P型硅衬底(1)上，源漏引线(11)分别通过有源区引线孔(10)与MOSFET源区(7)，MOSFET漏区(8)连接。