制造薄膜太阳能电池的方法

摘要

本发明涉及CIGS太阳能电池制造。本发明揭示一种使用卷对卷式装置制造CIGS薄膜太阳能电池的方法。本发明揭示通过以下步骤制造半导体薄膜Cu(InGa)(SeS)₂的方法：依序电镀包含铜、铟、镓以及硒元素或其合金的多个前驱物层的堆叠，接着在介于450℃与700℃之间的温度下发生硒化。

主权项

一种用于形成覆在移动柔性衬底上的多个薄膜以用于制造光伏电池的装置，所述装置包含：第一滚筒，其被配置为固持具有金属化表面区域的第一卷柔性衬底，所述柔性衬底通过旋转所述第一滚筒而从所述第一卷连续转出，从而变为以一定速度直线运动的移动衬底；多个电镀系统，其被配置为接收所述移动衬底以在所述金属化表面区域上依序形成多个前驱物层一个覆盖另一个的堆叠；测量系统，其紧跟在所述多个电镀系统之后，并且被配置为可在所述移动衬底上的所选位置处测量所述多个前驱物层的堆叠中每一层的厚度；控制系统，其耦接到所述测量系统和所述多个电镀系统中的每一者上，并且被配置为接收所述多个前驱物层的堆叠中每一层的所述厚度的信息，并且使用所述信息来调整与所述多个电镀系统中的每一者相关的电镀参数；硒化系统，其被配置为使包括所述多个前驱物层的堆叠的所述移动衬底在介于450℃与700℃之间的温度下经受热处理，从而形成p型半导体薄膜；沉积系统，其用于形成覆在所述p型半导体薄膜上的n型半导体膜；以及第二滚筒，其用于将覆盖有p型半导体薄膜和n型半导体膜的所述移动衬底卷成第二卷。