具有纳米图案化衬底的LED的方法和结构

摘要

本公开提供了一种制造光电二极管(LED)器件的方法的一个实施例。该方法包括：在第一衬底上形成纳米掩模层，其中，纳米掩模层具有随机布置的颗粒图案；在第一衬底中生长第一外延半导体层，形成纳米复合层；在纳米复合层上方生长若干外延半导体层；从外延半导体层的第一侧将第二衬底接合到外延半导体层；将辐射能施加到纳米复合层；以及从外延半导体层的第二侧将第一衬底与外延半导体层分隔开。本发明还提供了一种具有纳米图案化衬底的LED的方法和结构。

主权项

一种用于制造发光二极管结构的方法，包括：在第一衬底上形成介电材料层；在所述介电材料层上形成纳米掩模层，其中，所述纳米掩模层具有随机布置的颗粒图案；在生长第一外延半导体材料层之前，使用所述纳米掩模层作为蚀刻掩模蚀刻所述介电材料层，从而在所述介电材料层中形成开口，以形成纳米棒，其中，每个所述纳米棒都包括来自所述介电材料层的介电部件和所述介电部件上的所述纳米尺寸颗粒中的一个；在所述第一衬底上生长第一外延半导体材料层，形成纳米复合层，其中，在所述介电材料层的开口内生长所述第一外延半导体材料层；在所述纳米复合层上方生长多个外延半导体层；从所述多个外延半导体层的第一侧将第二衬底接合到所述多个外延半导体层；将辐射能施加到所述纳米复合层；以及从所述多个外延半导体层的第二侧将所述第一衬底与所述多个外延半导体层分隔开。